NVSRAM (Non Volatile SRAM) - RAM rápida, endereçável por byte, com escrita por byte, que retém o seu conteúdo após a perda de energia. A NVSRAM geralmente assume uma de várias formas: - SRAM com backup de bateria (Dallas DS1220, 1230, etc., chips TI Benchmarq, ST...) - o chip contém SRAM, uma bateria e circuitos de deteção de energia. Quando a energia falha, a bateria de backup entra em ação e é usada para alimentar a RAM, prevenindo a perda de dados. Prós: comporta-se exatamente como uma SRAM eletricamente, tecnologia antiga. Contras: custo, tamanho físico grande, a bateria pode descarregar/morrer após vários anos.

• Híbridos EEPROM/SRAM (ZMD, chips Simtek, outros?) - o chip contém EEPROM, SRAM e circuito de deteção de energia. Ao ligar, os dados são copiados da EEPROM para a SRAM. Quando uma condição de falha de energia é detetada, os dados na SRAM são gravados na EEPROM. Geralmente requer condensadores maiores na linha de alimentação para garantir que ocorra uma queda gradual da tensão na linha. Prós: mais barato, tamanhos de invólucro (packages) pequenos disponíveis. Contras: tempo de inicialização longo após ligar pode exigir modificação elétrica / lógica de designs existentes.
• FRAM (Ramtron) - RAM Ferroelétrica. Usa um cristal ferroelétrico para armazenar o bit. Tem a velocidade de leitura/escrita de RAM (~1ns) com a característica de reter os dados permanentemente. Ciclos de escrita quase ilimitados. Prós: Disponível em vários tipos de invólucro. Ciclos de durabilidade (endurance) muito elevados. Velocidades de Leitura/Escrita iguais às da RAM. Contras: Disponibilidade. Pequenas diferenças de pinagem (pinout) face ao padrão 27C256. Informações detalhadas no site da Ramtron: http://www.ramtron.com/doc/AboutFRAM/technology.asp
• MRAM (Cypress) - o chip contém armazenamento eletromagnético de próxima geração. Supostamente supera as desvantagens dos híbridos EEPROM/SRAM (tempo de inicialização) e os problemas de formato (form factor) / vida útil da bateria da SRAM com backup de bateria, sem introduzir as características elétricas/lógicas peculiares da FRAM. No geral: parece ser a tecnologia perfeita para a Programação em Tempo Real (Real Time Programming) de dispositivos não projetados para tal. Espera-se ver componentes reais em vez de vaporware no segundo trimestre (Q2) de '04.